非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用研究

摘要：

在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.本文研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果也表明这种非晶化未对硅化反应过程中杂质的再分布产生影响,但是剖面透射电镜分析表明这种非晶化所需能量需要合理优化.

关键词： 硅化物 NiSi 非晶化注入 固相反应

作者: 蒋玉龙 茹国平 屈新萍 李炳宗

作者单位: 复旦大学微电子学系,上海200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 11-14

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）