全介质隔离互补双极工艺技术研究

摘要：

本文综合运用硅硅键合、深槽刻蚀、多晶硅回填、化学机械抛光和离子注入技术,进行了介质隔离互补双极工艺技术研究,实现了纵向PNP、NPN以及横向PNP双极晶体管的SOI单片集成,其中纵向PNP、纵向NPN和横向PNP的耐压分别为25V、35V和35V,电流增益分别为30、180和25.

关键词： 集成电路 SOI 全介质隔离 互补双极工艺

作者: 张正元 胡明雨 税国华 刘玉奎

作者单位: 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060;中国电子科技集团公司第24研究所重庆,400060 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 5-10

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）