场发射阵列阴极制作中的感应耦合等离子体刻蚀技术

摘要：

本文对于在Spindt型场发射阵列阴极制作过程中,应用高密度感应耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma)作为微细加工手段,进行了理论分析和工艺研究.讨论了刻蚀过程中的几个关键工艺参数,如感应耦合功率、刻蚀功率以及反应气压对于刻蚀速率和刻蚀质量的影响,摸索了得到理想的Mo栅极微孔阵列图形的工艺条件.

关键词： 反应离子刻蚀 场发射阵列阴极 感应耦合等离子体 刻蚀技术

作者: 李兴辉

作者单位: 北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室,100016

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第十五届学术年会暨军用微波管研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 254-257

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）