蓝宝石衬底材料的化学机械抛光及机理研究

摘要：

本文利用碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光,并对蓝宝石衬底化学机械抛光(简称CMP)的机理及其理论模型进行了深入的研究,完善了蓝宝石CMP抛光速率的半经验公式.根据实验数据,就温度、压力及pH值对CMP抛光速率的影响进行了详细的讨论,得出了这些参数对蓝宝石衬底CMP过程及加工表面质量的影响趋势.

关键词： 化学机械抛光 蓝宝石 衬底 理论模型 去除速率

作者: 牛新环 刘玉岭 檀柏梅 王胜利 赵之雯

作者单位: 河北工业大学信息学院微电子学与固体电子学重点学科,天津,300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 69-72

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）