4H-SiC钒离子注入层的特性

摘要：

本文研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性,注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取.采用一种台面测试结构进行I-V测试.钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很大,常温下钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.2×109～1.6×1010Ω·cm和2.0×106～7.6×106Ω·cm.

关键词： 碳化硅 半绝缘 钒离子注入层 I-V测试 电阻率

作者: 王超 张玉明 张义门

作者单位: 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 65-68

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）