一种超βNPN晶体管的研制

摘要：

本文阐述了一种超βNPN型晶体管的成功研制并使其能实现批量生产的过程.该晶体管在VCE=5V,IC=500mA大电流下工作时,电流增益可达到900～1800范围,且器件的VCEO、VCBO耐压比较高,其中VEBO达到15V以上,完全满足低频大电流超高增益晶体管的实用技术要求.

关键词： 高增益晶体管 低频大电流 晶体管制造

作者: 阚玲 欧宏旗

作者单位: 电子科技集团公司电子第24研究所12室,400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 373-378

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）