提高SOI器件和电路性能的研究

摘要：

本文SOI器件和电路性能进行了研究。文章认为，SOI技术是在体硅CMOS技术的基础上发展起来的,和体硅相比SOI有较多的优势，但同时也有它的劣势,这种劣势实际上是由其特殊的器件结构决定的。文章对SOI器件的性能进行了分析，提出了提高SOI器件和电路性能的几项重要措施。

关键词： 集成电路 微电子技术 半导体材料

作者: 海潮和 韩郑生 周小茵 赵立新 李多力

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 369-372

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）