Lateral Epitaxy Overgrown(LEO)GaN导热系数的数值研究
本文利用修正的Callaway模型对含杂质、位错、以及同位素的LEOGaN的导热系数进行了研究,计算表明同位素对LEOGaN的导热系数同位素影响较大,而位错和杂质大于一定值时其值才对导热系数产生影响.
半导体材料 导热系数 驰豫时间
梁新刚 于新刚
清华大学航天航空学院,传热与能源利用北京市重点实验室,北京,100084
国内会议
南京
中文
1268-1272
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）