Bi2223/Ag超导带背景场损耗和磁场响应特性研究
采用改进的瓦特计技术,研究了在77K和低场范围内单芯和多芯Bi2223/Ag超导带的背景场损耗(包括表面损耗、磁滞损耗和耦合损耗)和在交变外磁场下的穿透电压与磁场响应特性.最小磁场小于1×10-4T.单芯带材和大块超导体的损耗一致,在整个磁场范围内损耗和磁场符合指数关系,Q∝Hn:当H<Hc1时,n约为1.2～1.8,损耗主要是表面损耗;当Hc1<H<Hp时,n≈3,损耗主要是磁滞损耗;当H>Hp时,n≈1.1,损耗主要是磁滞损耗.从单芯带材的损耗曲线我们得到了Bi2223相的Hc1≈6×10-4T.对于多芯带材而言,损耗由磁滞损耗和耦合损耗组成,耦合损耗起主要作用,损耗和磁场符合指数关系,Q∝Hn:当H<Hp(本样品Hp≈Hc1≈6×10-4T)时,n≈2,主要是耦合损耗,表面损耗可以忽略;当H>Hp时,n≈1.7,损耗包括磁滞损耗和耦合损耗,耦合损耗占主要部分.在磁场小于1×10-4T的低场下,单芯和多芯带材损耗研究结果目前还未见报道.研究了超导体中穿透电压和外磁场的响应关系,给出了穿透电压和外磁场的关系曲线,结合超导体中的磁化强度变化过程对曲线给出了合理的解释.
瓦特计技术 背景场损耗 超导带材 磁场响应
李景会 王金星 吴春俐 何砚发
东北大学物理系,沈阳,110004;沈阳东软数字医疗系统有限公司,沈阳,110003 东北大学物理系,沈阳,110004 东北大学信息工程学院,沈阳,110004
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合肥
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97-101
2003-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）