不同Al组分AlGaN/GaN HEMT的模拟与分析

摘要：

本文主要叙述了在ISE软件平台上对不同Al组分AlGaN/GaNHEMT的转移特性的模拟以及对模拟结果的分析.首先实现了在成熟的模拟软件中,通过引入δ掺杂层的方法对器件的极化效应进行了模拟.其次,通过考虑极化前后的转移特性的比较,可知Al组分越大,器件的二维电子气浓度越高,从而增加了器件的漏源饱和电流.尤其在考虑了器件的极化效应后,漏源饱和电流的增加幅度有了明显的提高.

关键词： AlGaN GaN HEMT ISE TCAD Al组分 软件平台

作者: 鲁小妹 吕长志 朱修殿 张小玲 张小玲

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十一届青年学术年会

会议地点: 济南

会议语种:中文

页码: 1168-1171

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）