蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT低温特性研究

摘要：

本文研究了栅长为1μm的蓝宝石衬底AlGaN/GaNHEMT的室温～-70℃低温直流特性.阈值电压随温度的降低而下降且低于-30℃下降明显;饱和漏极电流随温度的降低而增大,增大的百分比为40.58﹪;拐点电压随温度的降低而增大.

关键词： AlGaN/GaN HEMT 低温特性 二维电子气 电子信息技术 蓝宝石衬底

作者: 朱修殿 鲁小妹 张浩 吕长志 张小玲

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十一届青年学术年会

会议地点: 济南

会议语种:中文

页码: 1023-1026

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）