微波功率SiGe HBT的可靠性研究及退化模型的建立

摘要：

本文研究了SiGeHBT在OC应力(集电极开路,发射结反向偏置)、FC应力(集电结正向偏置,发射结反向偏置)以及热应力下的退化现象.发现基极电流变化量△IB是应力的敏感参数,由此建立了IB的退化模型,并成功地解释了实验现象.

关键词： SiGe HBT 可靠性 退化模型

作者: 杨经伟 高攀 邱建军 金冬月 张万荣 刘黎明 朱连仓

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 辽宁大学物理系,沈阳,110036

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十一届青年学术年会

会议地点: 济南

会议语种:中文

页码: 1019-1022

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）