微波GaAs FET/pHEMT器件的噪声模拟

摘要：

本文提出一种FET/pHEMT器件噪声特性参数的模拟计算方法.该方法利用Pospieszalski的温度噪声模型,假设沟道热噪声的能量与漏电流Id和沟道电导l/Rds线性相关,推出器件的本征噪声源配置模型.利用H.Hillband的噪声相关矩阵计算器件噪声参数.对器件ATF10100进行了噪声参数实测,与模拟计算参数进行比较,结果显示该计算方法非常有效.

关键词： FET 噪声模型 噪声测量 级联噪声矩阵 微波

作者: 刘章文 蒋毅 古天祥

作者单位: 电子科技大学自动化工程学院,成都,610054;中物院应用电子学研究所,绵阳,621900 电子科技大学自动化工程学院,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十一届青年学术年会

会议地点: 济南

会议语种:中文

页码: 1016-1019

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）