射频功率异质结双极晶体管自加热效应及补偿方法

摘要：

本文从器件Ⅰ～Ⅴ特性的角度表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应.研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(△EV)等诸多因素对器件I-V特性的影响.进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系.结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE).

关键词： 异质结双极晶体管 I-V特性 镇流电阻

作者: 金冬月 杨经伟 张万荣 吴春瑜 朱连仓

作者单位: 辽宁大学物理系,辽宁,沈阳,110036 北京工业大学电控学院,北京,100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十一届青年学术年会

会议地点: 济南

会议语种:中文

页码: 1011-1014

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）