稀土化合物Gd5(SixGe1-x)4在0≤x≤0.3范围内的低温巨磁致伸缩效应
讨论了稀土化合物Gd5(SixGe1-x)4在0≤x≤0.3范围内的Gd5Ge4,Gd5(Si01Ge0.9)4多晶合金的磁致伸缩效应,通过对这些合金的磁致伸缩行为的分析,发现对Gd5(Si0.1Ge0.9)4合金,当满足条件:(1)具有异常的磁相变-晶体结构相变;(2)测量温度在零磁场下测定的居里温度(TC)以上;(3)合金的居里温度随外部磁场的增大而增大;(4)外加磁场足够大以满足Tc(H=0)<T(测量温度)<TC(H=Hmax),巨磁致伸缩效应才能存在.虽然对于Gd5Ge4合金,它的磁致伸缩效应行为更加复杂,但是它们的巨磁致伸缩效应均是因为在TC处,晶体结构发生转变的结果.
磁热效应 巨磁致伸缩 磁-晶相变 稀土化合物 多晶合金 功能材料
韩满贵 梁迪飞 陈良 谢建良 邓龙江
电子科技大学微电子及固体电子学院,四川,成都,610054
国内会议
广西北海
中文
20-23
2005-03-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)