传感器芯片隔氧化层离子注入工艺研究
本研究利用IC(IntegratedCircuit)平面技术和MEMS(MicroElectronicMechanicsystem)技术在硅片上生产出集差压敏感元件、静压敏感元件、温度敏感元件为一体多用途新型传感器芯片.该传感器能够同时测量环境中的差压、静压和温度的变化,静压和温度的测量数据可修正被测环境的差压输出信号,从而可提高差压传感器的精度,具有智能化.采用了带氧化层离子注入浅结工艺技术,较好实现了预期设计.同时满足了高输出、高过载和低功耗这些矛盾的技术参数.
氧化层 离子注入 传感器 芯片
郑东明 唐慧 张治国
沈阳仪表科学研究院,传感器国家工程研究中心,沈阳,110043
国内会议
西安
中文
103-105
2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）