ZnO压电薄膜的制备及表征

摘要：

本研究采用磁控溅射方法在单晶Si基底(100)上淀积了ZnO薄膜,XRD和AFM分析表明淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度,晶体颗粒尺寸为30nm～50nm.经过纯氧中高温退火,ZnO薄膜的电阻率提高到107Ω·cm.这些结果表明磁控溅射法淀积的ZnO薄膜能够满足声表面波(SAW)的器件的需要.

关键词： 磁控溅射 氧化锌薄膜 压电性 声表面波

作者: 陈华品 谢光忠 王涛 蒋亚东

作者单位: 电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 96-99

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）