基于SiO2/Cr/Au多层掩膜的MEMS加工技术

摘要：

本文介绍了一种基于SiO2/Cr/Au多层掩膜的MEMS加工技术,用于制作扭摆式硅电容式加速度计的硅零件.它具有对所用设备要求低,成本低,可靠性好等特点.这种工艺路线,稍加调整,也可以应用于其它多种MEMS传感器的制作,如振动、加速度开关、压力传感器等,具有很好的应用前景.

关键词： MEMS SiO2 Cr Au 掩膜 传感器

作者: 王鲜然 陈艳

作者单位: 航天长征火箭技术有限公司MEMS中心,北京,100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 72-73

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）