MEMS后处理中芯片的正面保护
本文提出一种以丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)薄膜作为各向异性腐蚀溶液的掩模的薄膜保护方法.ABS胶以旋涂法涂布在硅片表面,然后经过一系列的处理工序以增强膜与衬底的粘附性.本文比较了在不同温度条件下ABS胶膜在KOH和TMAH溶液中的抗腐蚀特性.实验证明:在90℃、25wt﹪TMAH溶液中,ABS薄膜的掩模时间达到10h左右.应用这种方法成功实现了风速计的背部体硅释放,降低了器件的工作功耗.
硅腐蚀 ABS薄膜 电路保护 功耗
曹正军 秦明
东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096
国内会议
西安
中文
67-69
2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）