基于硅直接键合的密封腔微结构的设计
硅直接键合(SDB)已日益发展成为制造复杂硅微机械传感器和执行器的关键技术,能有效实现各种复杂的三维结构.本文在不同的气氛(10-4mbar的真空、氮气、氧气、空气)中利用硅直接键合制作了各种不同图形、不同体积、不同密度的密封腔,着重研究了键合和高温退火后密封腔的压力以及高温退火后密封腔上方的单晶硅膜的形变,与理论值进行了比较,分析了密封腔的几何尺寸、腔深、密度、键合气氛对实验结果的影响,为各种MEMS器件中密封腔微结构的设计提供了参考.
硅直接键合 密封腔 腔内压力 硅膜形变 传感器
何芳 黄庆安 秦明
东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096
国内会议
西安
中文
52-55
2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）