MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系

摘要：

该文通过国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及γ总剂量辐照实验，特别是进行总剂量辐射损伤后的热载子损伤叠加实验，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了MOS结构热载子损伤特性及与电离辐射损伤的关系。

关键词： MOS结构 热载子 电离辐射 氧化物电荷 界面态

作者: 任迪远 余学锋 艾尔肯 张国强 陆妩 郭旗

作者单位: 中科院新疆物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 66～71

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）