反沟道HJFET振荡器设计

摘要：

本文从HJFET的物理模型出发,分析了反沟道HJFET的电路模型及其等效电路,并在此基础上设计并制作了一个反沟道振荡器.该振荡器具有相噪低、可调范围宽、电路结构简单、起振容易等优点.经测试,所制作的振荡器频率可调范围为9.5～9.7GHz,偏离载频100kHz处相噪为-107dBc/Hz.

关键词： VCO 反沟道HJFET 振荡器 可调范围 电路模型

作者: 唐伟 吴正德 王占平 唐小宏

作者单位: 电子科技大学电子工程学院,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国西部青年通信学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 963-965

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）