金属氧合物CO2O3在ZnO压敏陶瓷中的改性作用研究
本文研究了金属氧化物CO2O3压敏陶瓷中晶粒生长和电学性能的影响.分析了CO2O3含量对ZnO半导体陶瓷各种性能的改善以及所产生缺陷类型.实验结果表明:随着CO2O3含量在0.6mol﹪-0.2mol﹪范围内的减少,ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小降低,工频耐受力提高,非线性系数增大,在一定程度上掩盖了ZnO晶粒本征缺陷对ZnO陶瓷电导率的影响,使半导体的电导率获得可控性.为获得产品优良的重复性和稳定性,以及低成本起到十分重要的作用.
氧化钴 氧化锌压敏陶瓷 晶粒生长 电学性能
韩伟 王建文 孟梅
西安市西无二电子信息集团有限公司,陕西,西安,710015
国内会议
南阳
中文
86-90
2005-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）