原子层淀积制备Al2O3薄膜及其特性研究
(0) 以Al(CH3)3和H2O为反应源,在300℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜.淀积好的Al2O3薄膜在高纯N2(99.999﹪)气氛中进行高温快速热退火处理.采用X射线反射谱(XRR)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)等方法对淀积好的Al2O3薄膜进行物理特性分析.XRR和XRS分析表明刚淀积薄膜的密度偏低,且Al/O之比大于1.5,这是由于薄膜中含有C、H杂质及未完全反应的Al(OH)3造成的.高温退火后,薄膜的Al/O之比为1.52,接近化学计量比的Al2O3,同时表面平均粗糙度(RMS)得到明显改善.
氧化铝薄膜 介电性能 原子层淀积 X射线反射谱 X射线光电子能谱
卢红亮 张卫 徐敏 陈纬 任杰 丁士进
复旦大学微电子学系,ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433
国内会议
成都
中文
216-220
2005-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）