基于分子模拟技术研究氧化硅材料光频下的介电性能
介电性能是电介质材料最重要的性质,但是在极端条件(如高温)下现有的实验方法均无法测量材料的介电特性.分子模拟技术可作为介电性能试验研究的重要补充,用来模拟材料光频介电性能.本文将第一性原理和分子动力学相结合,解决电介质材料在光频范围内下的介电特性问题.首先建立SiO2的微观结构模型,进行某一温度下的分子动力学计算,得到该温度下电介质材料的微观结构模型和动力学特性.利用该微观结构模型进行第一原理的计算,得到在该温度下电介质光频范围的介电性能.该方法对于SiO2的介电性能研究和材料改性具有重要意义.
电介质 氧化硅材料 分子模拟 介电性能 分子动力学 第一性原理
崔浩 谢小军 陈小林 冯武彤 成永红
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,陕西,西安,710049
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2005-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）