基于分子模拟技术的极端高温条件下材料介电性能研究
分子模拟技术是近年来发展起来的应用数学模拟方法从微观结构角度研究材料物理化学特性的新方法,本文以氧化硅晶体为例介绍了如何进行分子模拟和计算,并针对氧化硅材料在极端高温下的介电性能进行了分子模拟计算.分子模拟技术对认识或预测一些极端条件下材料的性能具有重要作用,有助于丰富电介质物理理论.
分子模拟技术 氧化硅材料 介电性能
成永红 陈小林 谢小军 崔浩 冯武彤
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049
国内会议
成都
中文
33-38
2005-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）