Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜的电化学制备

摘要：

本文采用恒电位电沉积技术在金基体上沉积出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜.采用SEM、EDS等方法,研究了电沉积Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜的组成及形貌.结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的溶液中,采用控电位电沉积方法,可实现铋、碲、硒三元共沉积,制备出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜.在沉积电位-0.01V下制备出的Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜组成为Bi2Te2.45Se0.85,薄膜结构致密.

关键词： Bi2Te3-ySey薄膜 电沉积 温差电材料 电化学

作者: 卜路霞 王为

作者单位: 天津大学化工学院应用化学系,天津,300072

会议类型: 国内会议

会议名称: 2005(贵阳)表面工程技术创新研讨会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 46-48

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）