应用三维ADI-FDTD方法分析平面集成电路

摘要：

本文采用三维交替方向隐式时域有限差分(ADI-FDTD)方法来分析平面电路.该方法首次结合使用了两种吸收边界条件,即在波的传播方向上加单轴完全匹配层(UPML),同时在其它表面上加Mur一阶吸收边界条件以便得到更准确、计算效率更高的数值结果.并且本文详细描述了在ADI-FDTD方法中如何添加激励源.通过本文中的几个算例可以看出:在精度相同的情况下计算相同的结构时,ADI-FDTD方法的迭代步数最多仅是传统FDTD方法的六分之一.

关键词： 交替方向隐式时域有限差分法 单轴完全匹配层 Mur一阶吸收边界条件 平面集成电路 激励源 电磁兼容

作者: 叶珍宝 杨阳 陈如山

作者单位: 南京理工大学通信工程系,南京,210094

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国电磁兼容学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 45-50

在线出版日期: 2005-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）