快速热处理辐照掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的红外吸收谱研究
研究了快速热处理(RTP)对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的作用,对不同辐照剂量的样品先进行的不同温度和降温速率的RTP,再将其与没有经历RTP的样品放入单管扩散炉中进行1100℃高温20h一步退火,保护气氛为氩气.利用常温傅里叶红外变换方法测量样品的间隙氧含量.利用低温傅里叶红外变换方法研究样品中的氧沉淀,光学显微镜用来观察样品体内的缺陷形貌.实验发现,RTP不能改变氧沉淀进程,但是低的降温速率有助于氮氧复合体及片状氧沉淀的生成.RTP温度越高,缺陷密度越低,清洁区越宽.
掺氮直拉单晶硅 快速热处理 红外吸收光谱 中子辐照 氧沉淀
陈贵锋 刘丽丽 李养贤 李兴华 蔡莉莉 宋守丽 李永章 陈东风
河北工业大学材料学院,天津,300130 石药集团维生药业石家庄有限公司,河北,石家庄,050035 中国原子能科学院,北京,102413
国内会议
长春
中文
41-42
2006-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）