ZAO透明导电薄膜的制备及其特性初探

摘要：

用射频磁控溅射ZAO陶瓷靶在石英衬底上制备ZAO透明导电薄膜.由XRD、UV-Vis、(SEM)、原予力AFM等手段研究了薄膜的晶体结构、光学禁带宽度、表面和断面形貌与热处理温度的变化关系.结果表明,低温段300℃以下热处理的薄膜c轴较ZnO体材料有拉长现象;高温度段500℃到600℃热处理的薄膜的晶粒直径变化平稳,其中500℃热处理时,c轴也有拉长的效应,且形成良好的c轴趋向柱状晶薄膜;250℃热处理时薄膜的光学禁带宽度最大,薄膜表面均匀致密,晶粒充分团聚结晶。

关键词： 射频磁控溅射 ZAO陶瓷靶 导电薄膜 晶体结构 光学禁带宽度

作者: 叶勤 吴奎

作者单位: 暨南大学物理系,广东,广州,510632

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届广东省真空学会学术研讨会

会议地点: 广东肇庆

会议语种:中文

页码: 38-42

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）