B2O3掺杂对改性ZnO薄膜致密性及压敏性的影响

摘要：

利用新型sol-gel法制备了B2O3掺杂的ZnO薄膜.用SEM表征了B2O3掺杂前后ZnO薄膜的表面形貌,用XRD详细分析了不同B2O3含量掺杂下ZnO薄膜的微观结构与薄膜低压压敏特性的关系.结果表明,当B2O3添加量为0.5﹪(摩尔分数)时,薄膜的致密性和稳定性明显提高,ZnO薄膜的压敏电压低于5V,非线性系数高达18,漏电流为0.04μA/mm2.

关键词： 低压压敏电阻 晶界效应 致密性能 B2O3掺杂 ZnO薄膜 sol-gel法

作者: 仝金雨 黄焱球 刘梅冬

作者单位: 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,4300074 中国地质大学,材料科学与化学工程学院,湖北,武汉,430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 211-212

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）