新一代MOSFET栅极电介质材料的研究进展

摘要：

随着半导体技术的飞速发展,传统的SiO2无法克服由MOSFET器件特征尺寸的不断缩小所带来的量子隧穿效应的影响,从而极大地制约了微电子器件集成度的提高.因此寻找新一代MOSFET栅极电介质材料来取代SiO2已经成为人们研究的热门课题.文章总结了新型high-k材料所需满足的性能要求,介绍了近年主要high-k材料的研究成果,并综述了新一代MOSFET栅极电介质薄膜材料LaAlO3的研究进展。

关键词： 金属氧化物半导体场效应管 高介电常数 LaAlO3 薄膜 栅极电介质 MOSFET器件 量子隧穿效应

作者: 谷志刚 王东生

作者单位: 南京航空航天大学,理学院,江苏,南京,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 198-201

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）