ZrN/WN超硬多层薄膜缺陷性质的慢正电子湮没研究

摘要：

利用射频磁控溅射制备了不同N2分压的ZrN/WN超硬多层薄膜.借助慢正电子湮没技术研究了样品的空位型缺陷.结果发现:多层薄膜的空位型缺陷的浓度随组分的交替变化呈现周期性的规律;对于较高N2分压(＞0.4Pa)下制备的样品,其薄膜层中空位型缺陷的增加主要是由沉积原子(离子)与氮原子碰撞几率增大,使其缺乏足够的动能去填补空位引起的;对于较低N2分压(＜0.4Pa)下制备的样品,其薄膜层中空位型缺陷的增多则主要是因为成膜所需要的氮原子的缺乏导致了氮空位及其相关缺陷增加的原因.

关键词： 超硬多层薄膜 缺陷性质 慢正电子湮没

作者: 王立群 李德军 王明霞 宿杰 余大书

作者单位: 天津师范大学,物理与电子信息学院,天津,300074

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 630-631,635

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）