铌酸锂晶片CMP中工艺参数对去除率的影响

摘要：

采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铌酸锂晶片进行化学机械抛光研究,讨论了抛光压力、转速、流速等工艺参数对材料去除率的影响.结果表明,铌酸锂晶片化学机械抛光去除率与抛光工艺参数有着密切的关系.不降低表面质量,在抛光压力为140kPa,抛光液流速为180ml/min,抛光转速为60r/min时,可以得到较高的铌酸锂晶片抛光去除率和表面抛光效果.

关键词： 铌酸锂晶片 化学机械抛光 材料去除率 工艺参数 二氧化硅胶体碱性抛光液

作者: 王胜利 武晓玲 刘玉岭 贾小欣

作者单位: 河北工业大学,微电子研究所,天津,300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 70-71,75

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）