掺杂对C12H8N2电荷分布和成键特性的影响

摘要：

通过基于密度泛函理论的Hartree-Fock模型,设计并优化了C12H8N2、C11SiH8N2和C10Si2H8N2.详细研究了掺Si对C12H8N2电荷分布和成键特性的影响.结果表明,掺不同含量的Si对C12H8N2的电荷分布、成键特性和发光性能有不同的影响,掺少量的Si更有利于改善C12H8N2的发光性能。

关键词： 有机发光材料 C12H8N2 掺杂Si 电荷分布 密度泛函理论 发光性能

作者: 刘俊 陈希明 刘宇 董会宁 粟俊科

作者单位: 重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065;重庆大学,数理学院,重庆,400030 重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 67-69

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）