采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上生长β-Ga2O3薄膜

摘要：

采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上直接沉积β-Ga2O3薄膜.通过X射线衍射光谱(XRD),原子力显微镜(AFM)和傅立叶红外吸收光谱(FT-IR)研究了β-Ga2O3薄膜的生长和结构与退火温度之间的关系.实验结果表明,直接沉积后的β-Ga2O3薄膜为非晶态;当退火温度超过900℃时,薄膜转变为多晶态,且晶粒随温度的增加而增大;与体材料的β-Ga2O3的声子频率相比,β-Ga2O3薄膜的红外吸收峰出现明显蓝移。

关键词： 射频磁控溅射法 β-Ga2O3薄膜 退火温度 Si衬底 红外吸收光谱 薄膜生长

作者: 肖洪地 马洪磊 杨光 马瑾 林兆军 宗福建 张锡健 栾彩娜

作者单位: 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 1-3

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）