掺杂纳米材料光纤的探索性研究
将纳米技术与光纤技术相结合,建立了纳米薄膜内包层光纤模型,其特点在于在纤芯和包层之间夹有一层纳米级半导体薄膜层.利用该技术我们选用InP作为掺杂的半导体材料,制作的光纤具有尺寸小、增益高、宽带宽、光泵浦、使用方便、价格低廉的特点,同时此纳米薄膜内包层光纤在某些固定的波长范围内具有光放大的效果.
非线性效应 掺杂光纤 光放大 半导体材料
关黎明 张茹 王廷云
北京邮电大学,理学院,北京,100876 上海大学,上海市特种光纤重点实验室,上海,201800
国内会议
敦煌
中文
83-86
2006-07-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)