GaN纳米线的制备与表征

摘要：

采用化学气相沉积(CVD)法,以甩涂在Si(111)衬底上的Ga2O3薄膜和NH3作为原料,在无催化荆条件下成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、能量散射谱(EDS)仪和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了成分和结构分析,并讨论了其生长机理.结果表明:生成的GaN纳米线平直光滑,直径在30～80nm内,长度可达几十微米,纳米线为六方纤锌矿结构的GaN晶体.

关键词： 氮化镓 化学气相沉积 纳米线

作者: 王非 杨冬 李春华 梁建 马淑芳 刘旭光 许并社

作者单位: 太原理工大学材料科学与工程学院,山西,太原,030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西,太原,030024 太原理工大学化学工程与技术学院,山西,太原,030024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 850-851,857

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）