CVI SiO2工艺参数的优化设计

摘要：

通过对沉积物的显微结构和物相分析研究了CVD过程产生固相粉末的原因,以及沉积温度、纤维和热解碳界面(PyC)对CVISiO2渗透性的影响.结果表明,先驱体为乙烯基三乙氧基硅烷(JH20),沉积温度725℃,在无PyC的Nextel720纤维预制体上能够制备出较好的Nextel720/氧化硅复合材料.

关键词： CVD过程 氧化硅工艺 工艺优化 氧化硅复合材料 热解碳界面 沉积温度

作者: 郑勇 张立同 向军淮

作者单位: 江西科技师范学院,材料表面工程研究所,江西,南昌,330013;西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,陕西,西安,710072 西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,陕西,西安,710072 江西科技师范学院,材料表面工程研究所,江西,南昌,330013

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 395-397

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）