聚酰亚胺纳米杂化薄膜绝缘材料77K下的电击穿性能研究

摘要：

本文介绍了77K下薄膜状绝缘材料电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺/蒙脱土、聚酰亚胺/云母、聚酰亚胺/SiO2三个系列的低温电气强度.结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺/蒙脱土电气强度最佳可达215.77kV/mm;对于聚酰亚胺/SiO2系列,电气强度比纯PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求.

关键词： 纳米杂化材料 聚酰亚胺 低温电气强度 电击穿

作者: 李元庆 付绍云

作者单位: 中国科学院理化技术研究所,北京,100080

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国绝缘材料与绝缘技术学术会议

会议地点: 九江

会议语种:中文

页码: 349-352

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）