MMT/PI复合薄膜的电击穿破坏特性

摘要：

本文通过在聚酰亚胺基体中引入一定量MMT片层,可以改善薄膜的耐电老化性能,对薄膜电老化前后表面形貌及化学组成的研究结果表明:MMT片层均匀而充分的分散提高了MMT/PI薄膜的耐电弧性,这是聚酰亚胺薄膜电老化性能改善的原因.

关键词： 聚酰亚胺 薄膜 MMT 击穿破坏 复合薄膜 绝缘材料

作者: 王德生 吴俊涛 胡爱军 范琳 杨士勇

作者单位: 中国科学院化学研究所高技术材料实验室,北京,100080

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国绝缘材料与绝缘技术学术会议

会议地点: 九江

会议语种:中文

页码: 337-342

在线出版日期: 2005-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）