微波集成电路中Au/NiCr/Ta多层薄膜残余应力的研究

摘要：

在磁控溅射的基础上,通过化学镀Au的方法在Al2O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜,通过X射线衍射(XRD)技术研究了不同沉积温度和退火前后薄膜中残余应力的变化.结果表明:化学镀对溅射薄膜的残余应力有一定的调节作用,沉积态的薄膜均为拉应力,大小在33和50MPa之间,在400℃、Ar气中退火1h时后,薄膜中残余应力转变成压应力,其平均值为-5MPa,薄膜中的残余应力随沉积温度变化不大.

关键词： 金属膜 X射线衍射 残余应力

作者: 唐武 房永思 邓龙江 徐可为

作者单位: 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054 西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 808-810

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）