低束流下离子束溅射沉积Si薄膜的Raman光谱研究

摘要：

在温度为400℃下,采用离子束溅射技术在Si(100)衬底上沉积Si薄膜.利用Raman光谱对不同束流下生长的Si薄膜进行分析.结果表明:随着生长束流的减小,Si薄膜由非晶向多晶转变;在束流为6mA时,得到了结晶较好的Si外延薄膜。

关键词： Si外延薄膜 离子束溅射沉积 Raman光谱 低束流

作者: 宋超 杨瑞东 俞帆 杨宇

作者单位: 云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 362-364

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）