电化学刻蚀制备多孔InP

摘要：

利用扫描电子显微镜(SEM)对电化学刻蚀多孔InP的形貌进行了表征,用耗尽层模型和场强化效应模型讨论了多孔InP刻蚀的机制.

关键词： 多孔InP 电化学刻蚀 耗尽层 场强化效应 扫描电子显微镜

作者: 翁占坤 申慧娟 刘爱民 刘艳红 徐峰 罗慧晶

作者单位: 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学物理系,辽宁,大连,116024;长春理工大学生命科学学院,吉林长春130022 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学物理系,辽宁,大连,116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 324-325

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）