氮化镓纳米带的制备和表征

摘要：

采用CVD方法,以金属镓和氨气为原料,金属镍为催化剂,在Si(111)衬底上成功制备出了大量的GaN纳米带.采用场发射扫描电镜(FESEM)、能量散射谱(EDS)仪和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了成分、形貌和结构分析.结果表明:制备的GaN纳米带为六方纤锌矿结构,其宽度在80～150nm范围内,厚度在3～10nm范围内,长度达到几十微米,并且对生长机理进行了讨论.

关键词： 氮化镓纳米带 CVD法 半导体薄膜 场发射扫描电镜 能量散射谱

作者: 杨冬 王非 翟雷应 梁建 马淑芳 许并社

作者单位: 太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西,太原,030024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 320-321

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）