射频磁控溅射法制备(Zr0.8,Sn0.2)TiO4薄膜及其介电性能研究

摘要：

采用射频(RF)磁控溅射的方法,以Pt/Ti/SiO2/Si(100)为衬底材料,制备了高度(111)择优取向生长的(Zr0.8,Sn0.2)TiO4(ZST)薄膜.运用X射线衍射(XRD)和原子力扫描显微镜(AFM)对ZST薄膜的微结构和表面形貌进行了研究.分析了薄膜(111)取向生长的机理.采用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的表面成份进行了分析.研究了ZST薄膜低频下的介电性能,在100kHz下薄膜的介电常数和介电损耗分别为36.6和0.0069,薄膜的电容温度系数(TCC)在1MHz下为8.02×10-5/℃.

关键词： ZST薄膜 射频磁控溅射 介电性能 微波介电陶瓷

作者: 程文秀 丁爱丽 仇萍荪 何夕云 郑鑫森

作者单位: 中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 352-354,357

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）