c-Si表面的熔化及α-Si/Si薄膜晶化行为的分子动力学研究

摘要：

采用S-W势运用分子动力学方法对硅晶表面的熔化及α-Si/Si薄膜的晶化进行了模拟.模拟结果表明:硅晶表面的熔化温度为1858K;降温过程中,先用过冷的方法得到非晶薄膜结构,其非晶转变温度为1230K;再用较慢冷却速率对非晶薄膜进行降温晶化,得到不同温区的晶化方向以及薄膜的结晶主要温区为1200～900K左右;并就晶化方向与已报道的文献进行了比较和解释.

关键词： 硅 分子动力学模拟 硅晶表面 熔化 晶化行为

作者: 周少白 陈立桥 杨瑞东 杨宇

作者单位: 云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 347-351

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）