立方氮化硼薄膜的掺杂和电学特性研究
(0) RF射频溅射法制备c-BN薄膜,使用离子注入法将Be注入c-BN薄膜中进行掺杂,测量了掺杂前后c-BN薄膜的表面电阻率,并计算掺杂后c-BN薄膜激活能.c-BN薄膜利用射频溅射两步法制备而成,离子注入能量为190keV,注入剂量在10151016ions/cm2之间,薄膜在离子注入后经400～800℃退火,并在薄膜表面蒸镀2mm×5mm的铝电极,以测量其电学特性.实验结果表明:离子注入掺杂后的c-BN薄膜表面电阻率随着退火温度的升高和Be离子注入剂量的增大逐渐降低,薄膜表面电阻率比掺杂前下降了3～4个数量级.经计算得到掺杂后c-BN薄膜不同温度范围内激活能分别为0.54eV和0.32eV。
立方氮化硼薄膜 c-BN薄膜 离子注入 表面电阻率 激活能 RF射频溅射法
张岩 候碧辉 邓金祥 周涛 陈浩 李志中 何斌 陈光华 王丽香 郝伟
北京工业大学,应用数理学院,北京,100022 北京工业大学,材料学院,北京,100022
国内会议
敦煌
中文
279-280,284
2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）