射频磁控溅射法生长Mg0.1Zn0.9O:Al紫外透明导电膜性质研究

摘要：

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜,衬底温度由30℃变化到230℃.X射线衍射结果表明Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜为单相六角纤锌矿结构,具有(002)择优取向,衬底温度为180℃时制备薄膜的结晶程度较好.Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜的电阻率约为9.0×10-2Ωcm,在可见光范围内平均透过率达到85﹪,制备薄膜的带隙宽度约为3.62eV.

关键词： MgZnO 薄膜 射频磁控溅射法 透明导电膜 带隙宽度 X射线衍射

作者: 王永利 马瑾 葛松华 冯先进 杨帆 刘汝军 马洪磊

作者单位: 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 青岛科技大学,物理系,山东,青岛,266061 济南大学,成教学院,山东,济南,250022

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 271-272,275

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）