硼硅玻璃与Kovar合金阳极键合机理分析
硼硅玻璃与Kovar合金进行阳极键合实验,通过扫描电镜及能谱分析对键合界面的微观结构进行分析表明:硼硅玻璃/Kovar合金的键合界面有过渡层生成,分析认为在外加电场和温度的作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与金属发生氧化反应是形成过渡层的主要原因,而界面过渡层的形成是硼硅玻璃/Kovar合金界面实现连接的基本条件,
阳极键合 硼硅玻璃 Kovar合金 过渡区
宋永刚 秦会峰 胡利方 孟庆森
太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024
国内会议
敦煌
中文
649-651
2006-07-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)